Гетероструктуры с двумерным электронным газом на основе GaN с InAlN/AlGaN-барьером

Экспериментально продемонстрирована возможность получения гетероструктур на основе GaN с композитным InAlN/AlGaN-барьером со значением слоевого сопротивления $\sim$220–230 Ом/квадрат при комнатной температуре методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, что сопоставимо с коммерческими структурами с InAlN-барьерами. На основе численных расчетов показано, что серьезный вклад в снижение подвижности двумерного электронного газа дает рассеяние на сплавном потенциале твердого раствора в слое AlGaN.