RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 11, страницы 594–600 (Mi phts6810)

XVI Российская конференция по физике полупроводников, 7-11 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III–N

А. А. Ивановa, В. В. Чалдышевa, Е. Е. Заваринa, А. В. Сахаровa, В. В. Лундинa, А. Ф. Цацульниковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние пространственного и энергетического беспорядка на формирование сверхизлучающей экситон-поляритонной моды в спектрах отражения от резонансных брэгговских структур при комнатной температуре. Обнаружено существование ограничения на число квантовых ям InGaN в резонансных брэгговских структурах, вызванное критическим пространственным беспорядком. Этот беспорядок определяет трансформацию единственной сверхизлучающей оптической моды в многомодовый спектр. Экспериментально достигнута рекордно высокая сила осциллятора экситона в квантовой яме GaN по сравнению с другими материальными системами. Увеличение силы осциллятора экситона в квантовой яме GaN по сравнению с квантовой ямой InGaN объясняется в основном уменьшением неоднородного уширения экситонного состояния.

Ключевые слова: резонансная брэгговская структура, квантовые ямы, экситоны, экситонный резонанс, брэгговский резонанс, нитрид галлия.

Поступила в редакцию: 05.12.2024
Исправленный вариант: 06.12.2024
Принята в печать: 06.12.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.11.59481.05S



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025