Оптимизация переключения мемристорных структур на основе HfO$_x$ с использованием электронно-лучевого воздействия

Исследованы электрофизические свойства мемристоров на основе HfO$_x$ ($x\sim$ 1.8), подвергнутого облучению электронным лучом в области, сопоставимой по размерам поперечному сечению филамента. Проведено сравнение этих свойств с мемристорами аналогичной структуры, изготовленными без использования локального электронно-лучевого воздействия на слой оксида гафния. Показано, что такое воздействие приводит к уменьшению амплитуды и разброса напряжений переключения состояний мемристора. Изучен транспорт заряда обоих типов мемристоров и обсуждается природа наблюдаемых отличий.