Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi$_2$Se$_3$(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции

Методами in situ отражательной электронной микроскопии, фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен процесс адсорбции атомов индия на поверхность Bi$_2$Se$_3$(0001) при комнатной температуре с последующим отжигом при 200$^\circ$C. Обнаружено формирование металлического висмута на поверхности Bi$_2$Se$_3$(0001) и образование химической связи In–Se, соответствующие замещению и выходу атомов висмута на поверхность из приповерхностного слоя с формированием бислоя Bi(111). Методами атомно-силовой микроскопии и сканирующей электронной микроскопии в режиме обратнорассеянных электронов показано, что слой висмута имеет высоту 0.4 нм и лабиринтообразную морфологию, а на смежных участках поверхности визуализируется значительная концентрация индия.