Эволюция состава естественного окисла на поверхности Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) при взаимодействии с водным раствором сульфида натрия

Методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались морфология и состав оксидного слоя, сформировавшегося на поверхности эпитаксиального слоя Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) в результате хранения на воздухе в течение нескольких месяцев, а также его эволюция в процессе обработки концентрированным водным раствором сульфида натрия. Показано, что формирующийся на поверхности полупроводника оксидный слой не однороден по своему качественному составу: верхняя часть состоит из оксидов металлов III группы и оксидов мышьяка, в то время как приграничная область полупроводник/оксидный слой значительно обогащена элементарным мышьяком. Обработка концентрированным водным раствором сульфида натрия приводит к практически полному удалению оксидов и не приводит к существенному изменению толщины слоя мышьяка. Поверхность остается покрытой слоем элементарного мышьяка толщиной $\sim$1 нм, шероховатость которой увеличивается с увеличением времени обработки.