RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 12, страницы 651–661 (Mi phts6818)

Электронные свойства полупроводников

Аналитическое решение одномерного уравнения Шредингера с линейным потенциалом в диоде

М. В. Давидович

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия

Аннотация: Для коэффициента туннелирования в диоде с линейным потенциалом получено аналитическое решение уравнения Шредингера в функциях Эйри, а также два других равносильных ему решения на основе интегрирования методом рядов. Их результаты соответствуют друг другу и численному решению. Рассчитан туннельный ток в диоде с учетом температуры. Результаты могут быть использованы при моделировании диодов типа металл-изолятор-металл и аналогичных им устройств.

Ключевые слова: уравнение Шредингера, туннелирование, диод, термополевая эмиссия.

Поступила в редакцию: 27.06.2024
Исправленный вариант: 01.01.2025
Принята в печать: 06.01.2025

DOI: 10.61011/FTP.2024.12.59825.6826



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025