RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 12, страницы 668–675 (Mi phts6820)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия

А. С. Пузановab, И. Ю. Забавичевab, Н. Д. Абросимоваa, В. В. Бибиковаab, Е. В. Волковаb, А. Д. Недошивинаb, А. А. Потехинab, Е. А. Тарасоваb, С. В. Хазановаb, Б. А. Логиновc, Д. Ю. Блинниковd, В. С. Второваd, Е. А. Ляшкоd, В. В. Кирилловаd, В. С. Макеевd, А. Р. Первыхd, С. В. Оболенскийab

a Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607188 Саров, Нижегородская обл., Россия
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 124498 Зеленоград, Москва, Россия
d Научно-технологический университет "Сириус", 354349 Сочи, Россия

Аннотация: При помощи метода двумерного флуктуационного анализа проведена обработка изображений поверхности структур кремний-на-изоляторе. Установлено, что параметр Херста необлученной поверхности составляет $H_0$ = 0.93, облученной $\gamma$-квантами $H_\gamma$ = 0.71–0.87, облученной нейтронами $H_n$ = 0.91–0.94, что указывает на нестепенные корреляции функции высоты и процессы типа случайного блуждания для всех исследованных образцов. Рассмотрено влияние радиации на изменение среднеквадратичного отклонения и корреляционной длины микрошероховатости поверхности образцов на микроуровне и деградации подвижности носителей заряда на макроуровне.

Ключевые слова: кремний-на-изоляторе, микрошероховатость, подвижность носителей заряда, флуктуационный анализ, фрактальная размерность.

DOI: 10.61011/FTP.2024.12.59827.7548



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025