Влияние процедуры легирования железом CVD-ZnSe с помощью высокотемпературной диффузии на состав и пространственное распределение примесно-дефектных центров

Исследуется пространственное распределение примесно-дефектных центров в кристаллах CVD-ZnSe, образующееся после проведения процедуры легирования этих кристаллов железом с помощью высокотемпературного легирования. Эксперименты велись с помощью метода двухфотонной конфокальной микроскопии, позволяющего регистрировать люминесценцию в диапазоне 0.44–0.73 мкм с пространственным разрешением в несколько микрон. Показано, что в результате этой процедуры кристалл становится существенно неоднородным не только в зоне легирования. В нем образуются области размерами в сотни микрон, прилегающие ко всем его поверхностям с отличным от основного объема составом собственных точечных дефектов и их комплексов. Установлено, что размеры этих областей зависят от времени легирования. Сделаны предположения о природе комплексов собственных дефектов с остаточными примесями, образующихся во время легирования, и механизме образования указанных выше областей.