Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs

Предложен подход для генерации коротких электрических импульсов в цепи с полезной нагрузкой, в качестве которой могут выступать полупроводниковые лазерные диоды. В рамках предложенного подхода для генерации электрических импульсов использовался ключ на основе высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs, а для его фотоактивации с субнаносекундными временами переходных процессов – мощный полупроводниковый лазер, работающий в режиме модуляции усиления. Исследования динамических характеристик фотоактивируемых ключей показали возможность генерации импульсов напряжения на эквивалентной нагрузке 50 Ом с пиковой амплитудой 19 В, длительностью 300 пс и передним фронтом 80 пс при фотоактивации оптическим импульсом полупроводникового лазера с пиковой мощностью 9.5 Вт, передним фронтом 35 пс и длительностью 100 пс.