Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs

Приведены результаты исследований по созданию фотодиодов на длине волны 1.55 мкм, сформированных на подложках GaAs. InGaAs фотодиодные структуры c InAlGaAs метаморфным буферным слоем с квазикорневым изменением концентрации In выращивались методом МОС-гидридной эпитаксии. Фотодиоды, изготовленные на основе полученных структур, имели область фоточувствительности до 1.68 мкм. Плотность темнового тока при обратном смещении -2 В составила 3$\cdot$10$^{-3}$ A/см$^2$. Токовая фоточувствительность на длине волны 1.55 мкм составила 0.6 А/Вт.