К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)

Рассмотрены три основные причины повышения температуры диодов на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs/$n$-InAsSbP и $p$-InAsSbP/$n$-InAsSb/$n$-InAs. Вклады джоулева тепла, безызлучательной оже-рекомбинации и электрон-фононного взаимодействия в повышение температуры диодов были оценены для прямого и обратного смещений с помощью анализа пространственного распределения интенсивности собственного излучения в среднем ИК диапазоне и вольт-амперных характеристик одноэлементных светодиодов и флип-чип диодных линеек (1$\times$3).