Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм

Представлены результаты исследования оптических свойств InGaAs-квантовых точек. Однослойные InGaAs-квантовые точки с высотой 5.3, 3.6 и 2.6 монослоя, а также трехслойные квантовые точки с высотой 2.6 монослоя были сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии по механизму Странски–Крастанова на подложках GaAs, с использованием метода частичного прикрытия и высокотемпературного отжига. Уменьшение размеров квантовых точек позволяет осуществить коротковолновый сдвиг положения максимума спектра фотолюминесценции с 1200 до 1090 нм, а увеличение числа слоев квантовых точек позволяет компенсировать падение интенсивности максимума спектра фотолюминесценции. Показано, что данный тип квантовых точек подходит для создания активных областей лазеров с вертикальным микрорезонатором для нейроморфных вычислений.