RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 3, страницы 160–168 (Mi phts6851)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Легкие и тяжелые экситоны в напряженных квантовых ямах CdTe/CdZnTe

Л. В. Котоваab, Д. Д. Беловаa, R. Andrec, H. Mariettecde, В. П. Кочерешкоa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт Петербург, Россия
b Университет ИТМО, 197101 Санкт Петербург, Россия
c Institut Neel CNRS, F-38000 Grenoble, France
d University of Tsukuba, Japan
e Japanese-French laboratory for Semiconductor Physics and Technology J-F AST, CNRS, Universite Grenoble Alpes

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции и поляризованного отражения при нормальном и наклонном падении света от структур с квантовыми ямами с симметричными Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te/CdTe/Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te и асимметричными Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te/CdTe/Cd$_{0.4}$Mg$_{0.6}$Te барьерами. Из-за механических напряжений, вызванных рассогласованием кристаллических решеток ям и барьеров, энергия легких дырок в квантовых ямах была выше, чем в барьерах, т. е. для них структура зон имела тип II. Однако в спектрах отражения линии тяжелых и легких экситонов имели сравнимую интенсивность. В структурах с симметричными барьерами в спектрах отражения обнаружены экситонные резонансы не проявляющиеся в спектрах фотолюминесценции. Проведен детальный расчет уровней энергии и спектров отражения.

Ключевые слова: квантовая яма, отражение, экситоны, деформация.

Поступила в редакцию: 17.04.2023
Исправленный вариант: 21.04.2023
Принята в печать: 21.04.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55628.4803



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025