Влияние подсветки на квантовое время жизни в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs-сверхрешеточными барьерами

Исследовано влияние подсветки на высокоподвижный двумерный электронный газ с высокой концентрацией в селективно-легированных одиночных $\mathrm{GaAs}$-квантовых ямах с короткопериодными $\mathrm{AlAs}/\mathrm{GaAs}$-сверхрешеточными барьерами при температуре $T = 4.2$ K в магнитных полях $B< 2$ Тл. Показано, что в изучаемых гетероструктурах подсветка при низких температурах приводит к увеличению концентрации, подвижности и квантового времени жизни электронов. Увеличение квантового времени жизни после подсветки в одиночных $\mathrm{GaAs}$-квантовых ямах с модулированным сверхрешеточным легированием объясняется уменьшением эффективной концентрации удаленных ионизированных доноров.