Повышение радиационной стойкости интегральных схем на основе биполярных транзисторов обработкой в водородной электронно циклотронно резонансной плазме и геттерированием Si-пластин

Продемонстрировано значительное улучшение радиационной стойкости интегральных схем на основе кремниевых биполярных транзисторов. Показано сильное снижение деградации коэффициента усиления по току и значительное улучшение выхода годных после высокоэнергетического $\gamma$-облучения. Это было достигнуто благодаря разработке эффективного процесса гидрогенизации объема кремния и поверхностного диэлектрического слоя с использованием плазмы электронного циклотронного резонанса, а также реализации эффективной опции геттерирования Si-пластин.