RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 3, страницы 202–206 (Mi phts6856)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование $p$$i$$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

Н. В. Крыжановскаяa, С. А. Блохинab, И. С. Маховa, Э. И. Моисеевa, А. М. Надточийa, Н. А. Фоминыхa, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, Ю. А. Гусеваb, М. М. Кулагинаb, Ф. И. Зубовac, Е. С. Колодезныйd, М. В. Максимовac, А. Е. Жуковa

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы статические и динамические характеристики волноводных фотодетекторов c поглощающей областью на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек при комнатной температуре. Спектральная полоса поглощения InGaAs/GaAs квантовых яма-точек лежит в диапазоне от 900 до 1100 нм. Фотодетекторы полосковой формы имеют ширину 50 мкм и длину поглощающей области от 92 до 400 мкм. Получено низкое значение плотности темнового тока (1.1 и 22 мкА/см$^2$ при -1 и -20 В соответственно) и предельное быстродействие 5.6 ГГц, ограниченное постоянной времени паразитной эквивалентной электрической RC-цепочки.

Ключевые слова: волноводный фотодетектор, частота модуляции, квантовые яма-точки, интегральная фотоника.

Поступила в редакцию: 21.03.2023
Исправленный вариант: 23.03.2023
Принята в печать: 20.04.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55634.4727



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025