Особенности структуры поверхности и поверхностного электронного транспорта в коррелированном топологическом изоляторе SmB$_6$

Разработан метод химико-механического полирования поверхности монокристаллов гексаборида самария SmB$_6$ композициями на базе аморфных частиц кремнезема нанометрового размера. Показано, что метод химико-механического полирования позволяет достичь шероховатости поверхности монокристаллов SmB$_6$ для бездефектного участка со среднеквадратичным отклонением профиля, не превышающим 0.8 нм. Обсуждается влияние метода химико-механического полирования на структурные и электронные свойства поверхностей (100) и (110) монокристаллических образцов SmB$_6$.