RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 4, страницы 237–242 (Mi phts6863)

XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов

В. Я. Алешкин, А. О. Рудаков, А. А. Дубинов

Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603087 д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, Россия

Аннотация: Работа посвящена выбору оптимальной ширины запрещенной зоны квантовой ямы для генерации двумерных плазмон-фононов в гетероструктурах CdHgTe/HgTe. Показано, что оптимальной эффективной шириной запрещенной зоны является ширина, немного превосходящая энергию продольного оптического фонона в барьере.

Ключевые слова: гетероструктуры CdHgTe/HgTe с квантовыми ямами, генерация двумерных плазмон-фононов, оптимальная ширина запрещенной зоны.

Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 05.06.2023
Принята в печать: 05.06.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55892.06k



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025