Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками

Исследовано влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов, полученных на основе структур с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками. Показано, что одними из основных факторов, оказывающих влияние на спектральное положение и форму линий фотолюминесценции, а также на кинетику фотолюминесценции фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками, наряду со структурой мод фотонного кристалла, являются локальный разогрев исследуемых образцов и концентрация неравновесных носителей заряда, создаваемых при поглощении возбуждающего излучения.