Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе

Представлены экспериментальные результаты исследований по формированию InAs-островков на поверхности кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в зависимости от рельефа Si поверхности и наличия наноямок могут формироваться InAs-островки как с бимодальным, так и однородным распределением по размерам. С помощью двухстадийного заращивания кремнием показана возможность создания гетероструктур с внедренными в кремний InAs-квантовыми точками, демонстрирующих фотолюминесценцию в области 1.65 мкм.