Измерения удельного сопротивления легированных азотом монокристаллов алмаза типа Ib методом Ван дер Пау с контактами Ti–Pt в интервале температур 573–1000 K

Методом Ван дер Пау в диапазоне температур 573–1000 K определены значения удельного электрического сопротивления квадратных алмазных пластин, легированных азотом в виде C-центров с концентраций 5; 55; 140 млн$^{-1}$. По результатам анализа первичных данных измерений рассчитаны значения удельного сопротивления в приближении точечных омических Ti–Pt-контактов, а также с учетом реальных размеров треугольных угловых контактов. Установлено, что вплоть до значения температуры 930 $\pm$ 50 K расхождения в значениях удельного сопротивления, полученные тремя различными способами анализа экспериментальных данных, не превышают 3–7%. Ti–Pt-контакты могут быть пригодны для применения в микроэлектронных и квантовых оптоэлектронных устройствах на основе алмазов, легированных азотом.