Аннотация:
Развивается теория внутризонного двухфотонного-двухквантового поглощения сильной световой волны в полупроводниках со сложной зоной. Получено аналитическое выражение для вероятности двухфотонного внутризонного перехода, содержащее зависимость от интенсивности, вектора поляризации и частоты поглощаемого света, а также от зонных параметров полупроводника, где учтен вклад в коэффициенты двухквантового поглощения света эффекта Раби. Показано, что форма края поглощения и линейно-циркулярного дихроизма зависит от степени поляризации света и от параметра Раби.
Ключевые слова:
двухквантовое поглощение света, эффект Раби, линейно-циркулярный дихроизм, полупроводник со сложной зоной, матричные элементы и вероятности оптических переходов.
Поступила в редакцию: 02.05.2023 Исправленный вариант: 25.06.2023 Принята в печать: 17.07.2023