RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 5, страницы 377–382 (Mi phts6886)

Электронные свойства полупроводников

Двухфотонное внутризонное поглощение поляризованного света и его линейно-циркулярный дихроизм в алмазоподобных полупроводниках

Р. Я. Расулов, Ф. Касымов, Н. У. Кодиров, У. М. Исомиддинова

Ферганский государственный университет, 150100 Фергана, Узбекистан

Аннотация: Развивается теория внутризонного двухфотонного-двухквантового поглощения сильной световой волны в полупроводниках со сложной зоной. Получено аналитическое выражение для вероятности двухфотонного внутризонного перехода, содержащее зависимость от интенсивности, вектора поляризации и частоты поглощаемого света, а также от зонных параметров полупроводника, где учтен вклад в коэффициенты двухквантового поглощения света эффекта Раби. Показано, что форма края поглощения и линейно-циркулярного дихроизма зависит от степени поляризации света и от параметра Раби.

Ключевые слова: двухквантовое поглощение света, эффект Раби, линейно-циркулярный дихроизм, полупроводник со сложной зоной, матричные элементы и вероятности оптических переходов.

Поступила в редакцию: 02.05.2023
Исправленный вариант: 25.06.2023
Принята в печать: 17.07.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56207.4975



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025