RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 6, страницы 414–420 (Mi phts6892)

XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками

Ж. В. Смагинаa, М. В. Степиховаb, В. А. Зиновьевa, С. А. Дьяковc, Е. Е. Родякинаad, Д. В. Шенгуровb, А. В. Кацюбаa, А. В. Новиковbe

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Сколковский институт науки и технологии, 143005 Москва, Россия
d Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
e Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследованы излучающие свойства упорядоченных массивов кремниевых резонаторов в форме дисков со встроенными в них GeSi квантовыми точками. Показано, что в зависимости от расстояния между резонаторами структуры могут проявлять свойства либо одиночных резонаторов, либо фотонных кристаллов, характеризуемых наличием в спектре фотолюминесценции вклада от фотонно-кристаллических мод. Формирование фотонных кристаллов на основе дисковых резонаторов позволяет значительно увеличить люминесцентный отклик структур с GeSi квантовыми точками в диапазоне длин волн 1.2–1.6 мкм, в том числе и при комнатной температуре.

Ключевые слова: GeSi квантовые точки, фотонные кристаллы, резонансы Ми, люминесценция.

Поступила в редакцию: 25.08.2023
Исправленный вариант: 01.09.2023
Принята в печать: 01.09.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56467.30k



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025