Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe

Рассчитаны времена захвата дырок на мелкие возбужденные уровни нейтральной вакансии ртути в твердом растворе Hg$_{1-x}$Сd$_x$Te при испускании акустического фонона, а также времена переходов дырок с мелких локализованных уровней в континуум валентной зоны при различных значениях температуры. Вследствие перераспределения носителей по валентной зоне с температурой время захвата носителей на локализованные уровни нейтральной вакансии растет, а время ухода в континуум убывает. На основе результатов расчета предложена модель для описания температурного гашения фотолюминесценции, обусловленной излучательными переходами между локализованными состояниями дырок на нейтральной вакансии ртути.