Деградация значения сопротивления в низкоомном состоянии в структуре на основе HfO$_2$/HfO$_X$N$_Y$

Изучен процесс резистивного переключения структуры Pt/HfO$_2$(8 нм)/HfO$_X$N$_Y$(4 нм)/TiN, для которой характерно присутствие двух режимов резистивного переключения: биполярное резистивное переключение и комплементарное резистивное переключение. Показано, что возможно резистивное переключение без внешнего ограничения тока. Экспериментально установлено, что проводимость в низкоомном состоянии определяется механизмом тока, ограниченного пространственным зарядом. Предложена качественная модель, которая описывает переход от биполярного резистивного переключения к комплементарному резистивному переключению с помощью изменения высоты барьера Шоттки на границе металл-диэлектрик. На основе этой модели дано объяснение деградации значения сопротивления в низкоомном состоянии.