Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

Исследовано влияние $\gamma$-радиации $^{60}$Со на излучательнуюи безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах GaAs$-$Si$_{x}$Ge$_{1-x}$ и GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As. Показано, что процессы излучательной рекомбинации в полупроводниковых гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, облученных $\gamma$-квантами, однозначно объясняются изменением безызлучательного времени жизни неосновных носителей заряда.