Люминесцентные характеристики легированного хромом с помощью высокотемпературной диффузии CVD–ZnSe

Методом двухфотонной конфокальной микроскопии в спектральном диапазоне 0.44–0.73 мкм исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик CVD–ZnSe, легированного хромом с помощью HIP-процесса. Установлено, что в результате этого процесса в кристалле образуются четыре типа примесно-дефектных центров. Показано, что в их образовании участвуют точечные центры, которые образуются в зоне легирования и диффундируют в глубь кристалла. Делаются предположения о природе этих точечных центров.