Формирование одиночных и гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов на основе твердых растворов $\mathrm{InAs}_{1-x}\mathrm{P}_x$ на $\mathrm{Si}(111)$

Исследован рост массивов нитевидных нанокристаллов на основе $\mathrm{InAsP}$ на кремниевых подложках. Обнаружено, что в процессе роста формируются две структурных фазы: кубическая структура типа сфалерита и гексагональная структура типа вюрцита. Определены эпитаксиальные соотношения $\mathrm{InAsP}$ и $\mathrm{Si}$: $[0001]_{ННК}||[111]_{\mathrm{Si}}$, $[11\bar20]_{ННК}||[1\bar10]_{\mathrm{Si}}$. При формировании тонких ($<100$ нм) сегментов твердого раствора $\mathrm{InAs}_{1-x}\mathrm{P}_x$ и сохранении достаточно высокого парциального давления потока $\mathrm{As}$ (не менее $50$%) выявлено снижение скорости радиального роста и формирование аксиального гетероперехода.