RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 7, страницы 577–583 (Mi phts6925)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Двухподзонный магнетотранспорт в одиночной GaAs-квантовой яме с модулированным сверхрешеточным легированием

А. А. Быков, Д. В. Номоконов, И. С. Стрыгин, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследован двухподзонный магнетотранспорт квазидвумерного электронного газа в одиночной GaAs-квантовой яме с модулированным сверхрешеточным легированием при температуре 4.2 K в магнитных полях до 2 Тл. Показано, что изучаемая двухподзонная система при помощи внешнего затвора переходит в одноподзонную. Этот переход сопровождается появлением положительного магнетосопротивления, которое описывается известной моделью классического двухподзонного транспорта с учетом упругого межподзонного рассеяния электронов. Совместный анализ классического положительного магнетосопротивления и амплитуды квантовых магнето-межподзонных осцилляций дает возможность определить величины транспортных скоростей релаксации для внутриподзонного рассеяния и одночастичной скорости релаксации для межподзонного рассеяния.

Ключевые слова: квазидвумерный электронный газ, положительное магнетосопротивление, двухподзонная система, магнето-межподзонные осцилляции.

Поступила в редакцию: 22.08.2023
Исправленный вариант: 02.10.2023
Принята в печать: 02.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56795.5510



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025