RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 7, страницы 590–593 (Mi phts6927)

Физика полупроводниковых приборов

Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм

А. Е. Маричев, В. С. Эполетов, Б. В. Пушный, А. С. Власов, А. Е. Лихачев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены конструкции и способ изготовления активной области фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения. По результатам измерений выращенных образцов был достигнут кпд 34.5%. Предложена перспективная конструкция каскадного фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения, в котором соединение каскадов выполнено с помощью каналов проводимости на основе микрокристаллитов GaP.

Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, туннельный диод, микрокристаллиты, фосфид индия.

Поступила в редакцию: 21.06.2023
Исправленный вариант: 06.07.2023
Принята в печать: 12.09.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56835.5339



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025