Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)

Разработанный ранее новый вариант метода жидкостной эпитаксии, включающий выращивание дополнительного антистравливающего слоя, применен для изготовления лазерных InGaAsP/InP-структур раздельного ограничения. В спектрах спонтанной электролюминесценции лазерных диодов с толщинами активной области 100 и 200 Å обнаружена структура краевой полосы люминесценции, свидетельствующая о влиянии на плотность состояний в зонах квантово-размерных эффектов. Квантово-размерные эффекты приводят также к скачкообразному изменению длины волны генерации при варьировании длины резонатора исследованных лазеров.
Полученные значения внешней эффективности спонтанного излучения (${\simeq2}$%) свидетельствуют о близости к 100% внутреннего квантового выхода излучательной рекомбинации в лазерных диодах с толщиной активной области ${100\div200}$Å.
Минимальное значение пороговой плотности тока в диодах с длиной резонатора 2.2 мм составило $410\,\text{А/см}^{2}$ при $295^{\circ}$С, что находится на уровне лучших результатов для лазеров с ${\lambda=1.3}$ мкм, полученных металлоорганической эпитаксией.