Моделирование солнечного элемента на основе пленок Co$_3$O$_4$ и (Co$_3$O$_4$)$_{1-x}$(ZnO)$_x$

Проведено численное моделирование солнечного элемента на основе гетероперехода нанокристаллических пленок оксида цинка, модифицированного оксидом кобальта (Co$_3$O$_4$)$_{1-x}$(ZnO)$_x$, и оксида кобальта (Co$_3$O$_4$), сформированных методом твердофазного пиролиза. Исследовано влияние на фотоэлектрические параметры сродства к электрону пленок (Co$_3$O$_4$)$_{1-x}$(ZnO)$_x$, толщины слоя Co$_3$O$_4$ и концентрации в нем акцепторов.