Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений

Проведены эксперименты по выращиванию cамоорганизованных квантовых точек InP/GaInP$_2$ в апертурах диэлектрических масок размером 0.1–1 мкм методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов. Предложена и реализована последовательность операций для реализации метода взрывной литографии. Показана возможность получения апертур диаметром менее 100 нм. Показано, что использование термически напыленного SiO$_2$ и жидкостного химического травления обеспечивает отсутствие деградации сигнала фотолюминесценции квантовых точек в апертуре за время их исследования.