RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 658–662 (Mi phts6941)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Оптические свойства и структура пленок оксида индия, полученных при различных условиях магнетронного распыления

А. А. Тихийa, Ю. М. Николаенкоb, Е. А. Свиридоваbc, И. В. Жихаревb

a Луганский государственный педагогический университет, 291011 Луганск, Россия
b Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, 283048 Донецк, Россия
c Донбасская национальная академия строительства и архитектуры, 286123 Макеевка, Россия

Аннотация: Обобщены результаты исследований структуры и оптических свойств серии пленок In$_2$O$_3$, полученных методом $dc$-магнетронного напыления на подложки Al$_2$O$_3$ (012). По данным рентгеноструктурного анализа, положение и полуширина пика, соответствующего плоскости (222) кубической модификации In$_2$O$_3$, зависят от времени напыления. Согласно эллипсометрическим измерениям и анализу спектров оптического пропускания, оптические свойства пленок, полученных при температуре 300$^\circ$C и более, – однородны, за исключением поверхностного слоя. Показатель преломления пленок, полученных при комнатной температуре, увеличивается в направлении от подложки к внешней поверхности. Отжиг устраняет эту неоднородность, а также уменьшает наблюдаемую ширину запрещенной зоны вследствие уменьшения концентрации дефектов решетки. Истинная ширина запрещенной зоны нечувствительна к отжигу.

Ключевые слова: пленки оксида индия, ширина запрещенной зоны, оптические свойства, рентгеноструктурный анализ, магнетронное напыление.

Поступила в редакцию: 26.07.2023
Исправленный вариант: 04.09.2023
Принята в печать: 06.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56964.5458



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025