RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 663–673 (Mi phts6942)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Люминесценция в $p$$i$$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами

Р. Б. Адамовa, Г. А. Мелентьевa, А. А. Подоскинb, М. И. Кондратовb, А. Е. Гришинb, С. О. Слипченкоb, И. В. Седоваb, С. В. Сорокинb, Г. В. Климкоb, И. С. Маховc, Д. А. Фирсовa, В. А. Шалыгинa

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы фото- и электролюминесценция в $p$$i$$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы – в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной рекомбинации донор-основная подзона тяжелых дырок $(D-hh1)$ и основная подзона электронов-акцептор $(e1-A)$. В спектрах электролюминесценции при больших токах накачки наблюдалась лазерная генерация на указанных переходах. Установлено, что интегральная интенсивность лазерного излучения на переходах $D-hh1$ в структуре без пространственного разделения доноров и акцепторов была в 5 раз больше, чем в структуре с пространственным разделением. Именно эти переходы обеспечивают эффективное опустошение донорных уровней, что актуально для эмиссии терагерцового излучения на переходах $e1-D$. Результаты работы могут быть использованы при разработке терагерцовых эмиттеров с электрической накачкой.

Ключевые слова: квантовые ямы, $p$$i$$n$-структуры, GaAs, AlAs, фотолюминесценция, электролюминесценция, ближний инфракрасный диапазон.

Поступила в редакцию: 14.11.2023
Исправленный вариант: 26.11.2023
Принята в печать: 29.11.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56965.5748



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025