Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs

Разработан ряд низковольтных тиристорных токовых ключей на основе гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs с областью объемного заряда, сформированной в слабо легированном слое базы $p$-GaAs. Исследованы особенности переходных процессов в режиме генерации импульсов наносекундной длительности. Показано, что использование широкозонного барьера на основе AlGaAs на границе $n$-эмиттер/$p$-база позволяет снизить минимальную амплитуду тока управления с 30 до 3 мА, а время задержки включения может быть сокращено до 6 нс. Для разработанных тиристорных ключей было продемонстрировано минимальное время переходного процесса 3.7–3.9 нс при работе в контуре с конденсатором емкостью 1 нФ. В цепи с резистивной нагрузкой номиналом 1Ом тиристорные ключи обеспечивали пиковый ток 17.5 А при длительности импульса 3.7 нс.