RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 693–699 (Mi phts6946)

Физика полупроводниковых приборов

Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. Е. Гришин, С. О. Слипченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы излучательные характеристики микролинеек лазерных диодов, работающих во внешнем резонаторе на основе асферической линзы и плоского диэлектрического зеркала. Микролинейки имели излучающую апертуру 185 мкм, сформированную 10 полосками шириной 6 мкм, разделенными мезаканавками. Работа во внешнем резонаторе всей излучающей апертуры характеризуется многомодовым режимом генерации с пиковой мощностью 3 Вт/6 А. Селекция латеральных модовых структур и переход к одномодовому режиму возможен за счет ограничения количества полосков, вовлеченных в обратную связь. Продемонстрированы закономерности перестроения модовых конфигураций при введении ограничивающих экранов во внешний резонатор. Показано, что ограничение излучающей апертуры, вовлеченной в обратную связь, до 65 мкм позволяет реализовать режим генерации на одной общей латеральной моде с расходимостью в дальней зоне для центрального лепестка 1$^\circ$.

Ключевые слова: лазерная линейка, внешний резонатор, мода высокого порядка.

Поступила в редакцию: 17.11.2023
Исправленный вариант: 04.12.2023
Принята в печать: 04.12.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56969.5763



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025