Влияние термообработки на плотность радиационных дефектов в диэлектрике и на поверхности полупроводника кремниевых МДП структур

Исследован изохронный отжиг радиационных дефектов, возникающих во время облучения МДП структур $\gamma$-квантами при наличии напряжения смещения на металлическом электроде. Комплексные измерения нестационарной емкостной спектроскопии и вольтфарадных характеристик (ВФХ) показали, что встроенный заряд и объемные состояния (ОС) диэлектрика отжигаются при $250^{\circ}$С, быстрые поверхностные состояния (ПС) — при $350^{\circ}$С, а характерный радиационный дефект в переходном слое Si$-$SiO$_{2}$ полностью отжигается только при $400^{\circ}$С. Дополнительные ОС и ПС, которые возникают в структурах при положительном смещении на металлическом электроде во время облучения, отжигаются при $120^{\circ}$С, и кинетика отжига дефектов при более высоких температурах не зависит от полярности смещения.
Плотность ПС, которая вычисляется из ВФХ, определяется в действительности перезарядкой не только быстрых ПС, но и части ОС диэлектрика в области шириной порядка 3.5 нм от поверхности полупроводника.