Влияние атомарного водорода на свойства арсенида галлия

Исследовались свойства монокристаллического низкоомного и полуизолирующего арсенида галлия после введения атомарного водорода методами емкостной и фотоэлектрической релаксационной спектроскопии, фото- и катодолюминесценции. Показано, что процесс гидрогенизации образцов приводит к значительному уменьшению концентраций свободных носителей заряда и всех наблюдавшихся электрически активных локальных центров, в том числе основной электронной ловушки EL2. Указанный эффект пассивации связывается с образованием нейтральных D$-$H-комплексов дефект–водород; обнаружено, что энергетический барьер образования D$-$H-комплексов и энергии их связи для мелких центров заметно ниже, чем для глубоких типа EL2.