RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 1, страницы 128–133 (Mi phts6982)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Влияние никеля на время жизни носителей заряда в кремниевых солнечных элементах

М. К. Бахадырхановa, З. Т. Кенжаевa, С. В. Ковешниковa, К. С. Аюповa, Е. Ж. Косбергеновb

a Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан
b Каракалпакский государственный университет, 230112 Нукус, Узбекистан

Аннотация: Экспериментально показано, что кластеры никеля на поверхности кремниевого образца содержат большое количество кислорода и рекомбинационных примесей – Сu, Fe, Cr, что указывает на эффективное геттерирование примесей кластерами. Определена оптимальная температура диффузии никеля в кремний: 800–850$^\circ$C. Легирование примесными атомами никеля с образованием кластеров позволяет увеличить время жизни неравновесных носителей заряда в базе солнечного элемента до 2 раз, при этом формирование обогащенной никелем области в лицевом слое оказалось более эффективным. Показано, что эффект влияния дополнительного легирования никелем слабо зависит от последовательности проведения процессов диффузии никеля и создания рабочего $p$$n$-перехода.

Ключевые слова: кремниевые солнечные элементы, диффузия никеля, неравновесные носители заряда, геттерирование, p-n-переход.

Поступила в редакцию: 01.03.2021
Исправленный вариант: 20.06.2021
Принята в печать: 18.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51823.9642



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025