Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, А. В. Суслов, В. А. Герега, А. Н. Крушельницкий, “Рост концентрации носителей заряда в тонких пленках висмута”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2,страницы 149

Эта публикация цитируется в 1 статье

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Рост концентрации носителей заряда в тонких пленках висмута

Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, А. В. Суслов, В. А. Герега, А. Н. Крушельницкий

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Обсуждаются причины роста концентрации носителей заряда в тонких пленках висмута при уменьшении их толщины. Расчет концентрации произведен на основе измеренных электрических и гальваномагнитных коэффициентов при температуре 77 K в рамках двухзонного приближения и предположения изотропности длины свободного пробега носителей заряда в плоскости пленки.

Ключевые слова: висмут, тонкая пленка, концентрация носителей заряда, поверхность.

Поступила в редакцию: 19.09.2021
Исправленный вариант: 24.09.2021
Принята в печать: 24.09.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51952.19