Релаксация энергии горячих электронов в бесщелевых полупроводниках $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te при гелиевых температурах

Измерены зависимости электропроводности $\sigma$ от напряженности электрического поля $E$ при температурах 1.7 и 4.2 K и зависимости $\sigma$ от температуры $T$ при ${E\to0}$ для бесщелевых полупроводников Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с ${x\simeq0.15}$ и Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${x=0.03}$ $p$-типа. Из сопоставления кривых $\sigma (E)$ и $\sigma(T)$ найдены зависимости электронной температуры $T_{e}$ от напряженности электрического поля. Показано, что энергия, передаваемая горячими электронами валентным дыркам, акустическим и полярным оптическим фононам при гелиевых температурах, составляет незначительную часть от энергии, получаемой электронами зоны проводимости в электрическом поле. Рассмотрен механизм передачи энергии в решетку по каналу электроны зоны проводимости–локализованные дырки акцепторной зоны–акустические фононы. Решено уравнение баланса энергии для этого механизма. Рассчитанные зависимости $T_{e}(E)$ при релаксации энергии через локализованные на акцепторах дырки хорошо совпадают с найденными из сопоставления измеренных кривых $\sigma(E)$ и $\sigma(T)$.