Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии

Установлено, что в кремнии, предварительно легированном высокой концентрацией фосфора, при диффузии галлия происходит существенное увеличение растворимости галлия. Полученные результаты объясняются взаимодействием атомов галлия и фосфора, в результате которого формируются квазинейтральные молекулы [P$^+$Ga$^-$]. Предполагается, что образование таких квазинейтральных молекул [P$^+$Ga$^-$] стимулирует формирование бинарных элементарных ячеек Si$_2$GaP в решетке кремния. Показано, что достаточно большая концентрация таких элементарных ячеек может привести к существенному изменению электрофизических параметров кремния и к возможности получения нового материала на основе кремния.