RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 40–43 (Mi phts7)

Поперечный эффект Дембера в полупроводниках с неоднородной анизотропией электропроводности

И. П. Жадько, С. И. Козловский, В. А. Романов

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: Проведен анализ характеристик поперечного эффекта Дембера в полупроводниковых пластинках, одновременно подвергнутых упругим деформациям изгиба и одноосного сжатия (растяжения). Показано, что при такой сложной деформации спектральные зависимости эффекта носят нетривиальный характер и принципиально отличаются от аналогичных зависимостей в однородном анизотропном полупроводнике. Опыты, выполненные на упруго изогнутых пластинках Ge, хорошо согласуются с теоретическим расчетом.

Поступила в редакцию: 11.05.1985
Принята в печать: 01.07.1985



© МИАН, 2024