Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP

Описаны результаты экспериментального исследования эффекта радиационного упорядочения на границах раздела металл–фосфид индия, ранее обнаруженного в слоистых структурах на основе GaAs. Наблюдались улучшение темновых вольтамперных характеристик диодов Cr$-$InP и возрастание времени жизни носителей тока в диодах Au$-$InP под действием $\gamma$-облучения $^{60}$Со дозой ${10^{5}\div3\cdot10^{6}}$ рад. Предложен метод определения времени жизни по фототоку неидеальных диодов Шоттки.