А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2,страницы 225

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$

А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии получены сильно легированные пленки $3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$ на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$. Структурное совершенство полученных образцов контролировалось методом рентгеновской дифрактометрии. Проведенные измерения спектров фотолюминесцении и эффекта Холла подтвердили достаточно высокое совершенство полученных эпитаксиальных слоев.

Ключевые слова: $\mathrm{SiC}$, гетероэпитаксия, кубический карбид кремния, рентгеновская дифрактометрия, эффект Холла, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 11.10.2021
Исправленный вариант: 18.10.2021
Принята в печать: 18.10.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51966.9752