RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2, страницы 236–242 (Mi phts7002)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование подвижности носителей заряда в слоях нанокристаллов PBS методом полевого транзистора

П. С. Парфенов, Н. В. Бухряков, Д. А. Онищук, А. А. Бабаев, А. В. Соколова, А. П. Литвин

Центр "Информационные оптические технологии", Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом полевого транзистора исследуется подвижность носителей зарядов в слоях нанокристаллов сульфида свинца с лигандами тетрабутиламмония иодида и 1,2-этандитиола, используемых для создания солнечных элементов. Демонстрируется отличие режима работы транзистора на воздухе от работы в условиях инертной среды. Показано, что на открытом воздухе активизируются процессы зарядки нанокристаллов при протекании тока, проанализировано влияние поляризации интерфейса нанокристаллов и изолятора на измерение подвижности. Продемонстрирована разная реакция слоев с лигандами на свет, показывающая существенное окисление поверхности нанокристаллов, обработанных 1,2-этандитиолом.

Ключевые слова: солнечные элементы, ловушечные состояния, фотопроводимость.

Поступила в редакцию: 01.09.2021
Исправленный вариант: 15.10.2021
Принята в печать: 15.10.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51968.9734



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025