RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2, страницы 254–258 (Mi phts7005)

Физика полупроводниковых приборов

Облучение ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников

Е. В. Калинина, М. Ф. Кудояров, И. П. Никитина, Е. В. Дементьева, В. В. Забродский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты влияния облучения ионами Ar на структурные, электрофизические и оптические характеристики ультрафиолетовых Cr/4H-SiC-фотоприемников спектрального диапазона 200–400 нм. После однократного облучения ионами Ar с энергией 53 МэВ флюенсом 1$\cdot$10$^{10}$ см$^{-2}$ значения квантовой эффективности фотоприемников практически оставались на уровне исходных образцов за счет “эффекта геттерирования” простых радиационных дефектов кластерными образованиями. Наблюдаемый эффект способствовал уменьшению количества простых радиационных дефектов вакансионного типа, росту времени жизни носителей тока и, как следствие, неизменным значениям фотопроводимости Cr/4H-SiC-фотоприемников. После повторного облучения фотоприемников ионами Ar общим флюенсом 2$\cdot$10$^{10}$ см$^{-2}$ наблюдался распад кластеров, образование значительного количества простых дефектных центров, что приводило к снижению времени жизни носителей тока и фотопроводимости Cr/4H-SiC-детекторов.

Ключевые слова: карбид кремния, облучение, аргон, квантовая эффективность.

Поступила в редакцию: 16.10.2021
Исправленный вариант: 05.11.2021
Принята в печать: 05.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51971.9745



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025