Высокотемпературная диффузия акцепторной примеси Ве в AlN

Исследована высокотемпературная диффузия акцепторной примеси бериллия (Be) в объeмный монокристаллический нитрид алюминия (AlN). Показано, что введение Be приводит к появлению зелeной люминесценции AlN, стабильной при комнатной температуре, наблюдаемой по всей толщине образца. Методом люминесцентного анализа показано, что наиболее эффективно процесс диффузии Be реализуется в температурном диапазоне от 1800 до 2100$^\circ$C и характеризуется чрезвычайно высокими коэффициентами диффузии $D$ = 10$^{-7}$ и 10$^{-6}$ см$^2$/с соответственно. Показано, что продолжительный процесс диффузии ($t\ge$ 1 ч) при температуре 2100$^\circ$C приводит к концентрационному тушению люминесценции приповерхностных слоeв AlN толщиной $\approx$ 80 мкм, что позволяет оценить концентрацию примеси бериллия в приповерхностном слое $\sim$ 10$^{19}$ см$^{-3}$.