Влияние кислорода при осаждении тонкой пленки оксида индия-олова методом магнетронного распыления для гетеропереходных солнечных элементов

Проведено экспериментальное исследование оптоэлектронных свойств тонких пленок оксида индия и олова в зависимости от содержания кислорода в общем потоке газов при напылении данных пленок методом магнетронного распыления мишени на постоянном токе. Была исследована зависимость выходных параметров гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементов в зависимости от парциального давления кислорода в вакуумной камере при осаждении слоя оксида индия и олова. Максимальное значение эффективности фотоэлектрического преобразования солнечного элемента достигнуто при парциальном давлении кислорода в вакуумной камере $\sim$6.5 Торр.